Угадывал тренды и опережал время

К 75-й годовщине Великой Победы в районе собирались провести десятки различных мероприятий. Ещё в марте в Доме учёных начались встречи «Учёные фронтовики: через войну в науку». Одну из них, майскую, хотели посвятить академику Анатолию Васильевичу РЖАНОВУ, 100 лет со дня рождения которого мы празднуем в этом году.

Военные и мирные экзамены

В 21 год Анатолий добровольцем ушёл на фронт, воевал на Ораниенбаумском пятачке в составе 2-й отдельной бригады морской пехоты: командовал отрядом разведчиков и сам много раз совершал рейды в тыл врага.

В декабре 1941-го он досрочно защитил диплом с отличием Ленинградского политехнического института имени М. Калинина, а после тяжёлого ранения и последующей госпитализации в 1943 году подал документы в аспирантуру ФИАНа – Физический институт Академии наук.

После этого снова попал на лечение, подхватив где-то воспаление лёгких. В 1944-м приехал в родную часть, чтобы забрать зимнее обмундирование. Но судьба распорядилась иначе: пришлось взять на себя командование своим бывшим отрядом, который нёс большие потери.

За сражение по снятию блокады Ленинграда он был награждён орденом Великой Отечественной войны II степени. В бою Ржанов снова получил ранение, был контужен. Когда выписался из госпиталя, сдал экзамены в ФИАН. И снова госпиталь.... Только в 1945 году Анатолий смог приступить к работе над диссертацией, которую защитил через три года. А уже в 1951 году он возглавлял одну из групп учёных и инженеров, которые создали первый в СССР германиевый транзистор.

Молодой директор

Анатолий Васильевич Ржанов – основатель и первый директор Института физики полупроводников СО РАН, который сейчас носит его имя. Разработки этого НИИ известны в России и за рубежом, востребованы на таких предприятиях, как госкорпорация «Ростех», АО «Росэлектроника», ГК «Роскосмос», Федеральное агентство воздушного транспорта «Росавиация», АО «Рособоронэкспорт».

Так обстоят дела сейчас. А в августе 1962 года, когда вышло постановление правительства об организации Института физики твёрдого тела и полупроводниковой электроники СО АН СССР и назначении директором А.В. Ржанова, институт существовал только на бумаге. Анатолию Васильевичу на тот момент было всего 42, и его совсем недавно избрали членом-корреспондентом по Сибирскому отделению АН СССР. Только через два года произойдёт объединение с Институтом радиофизики и электроники СО АН СССР и появится современное название.

– В первые годы удалось сделать самое главное: сформировать ядро коллектива института, составить планы работы. Научными направлениями молодого учреждения стали исследования поверхности полупроводников, тонкие полупроводниковые плёнки и физические основы полупроводниковых приборов. Анатолий Васильевич позаботился о подготовке молодых высококвалифицированных кадров: он создал и возглавил кафедру физики полупроводников на физфаке НГУ, установил тесные связи с Новосибирским электротехническим институтом (сейчас НЭТИ-НГТУ), – рассказывает друг и коллега академика член-корреспондент РАН Игорь Неизвестный, работавший замдиректора по научной работе с момента создания института в 1962 году.

Первыми сотрудниками будущего ИФП СО РАН стали коллеги Анатолия Ржанова из Физического института имени П. Лебедева РАН (ФИАН), а также молодые учёные, приехавшие из разных уголков страны. Во все научные центры были разосланы письма специалистам твёрдотельно-полупроводникового и электронного направления с приглашением стать сотрудниками института, а также заявки на молодых выпускников вузов соответствующего профиля. Здесь Ржанову помог опыт работы в должности учёного секретаря комиссии АН СССР по полупроводникам, которую он занял в 1954 году по приглашению академика Абрама Иоффе.

На десятилетия вперёд

– В 60-70-е годы полупроводниковые тематики развивались очень быстро, и Анатолий Васильевич понимал, что институт должен прежде всего приносить пользу для людей, для промышленности. Один из ярких прикладных результатов ИФП СО АН СССР, полученных в то время, создание элементов электронной, впоследствии флэш-памяти. Их начали производить в 1970-х годах на новосибирском НПП «Восток». В 1990-х и начале 2000-х эта тематика получила развитие в совместных с корпорацией Samsung проектах по созданию терабайтных накопителей, а сегодня – в разработке энергонезависимой памяти на основе нитрида и оксида кремния, – объясняет директор института академик Александр Латышев, пришедший в ИФП СО АН СССР в 1979 году.

ИФП СО РАН задаёт тон в выращивании полупроводникового материала на основе твёрдых растворов кадмий-ртуть-теллур. Этот материал используется в производстве «спутниковых глаз» – матричных фотоприёмников, чувствительных в инфракрасной области спектра, медицинских тепловизоров.

– Сейчас лишь несколько стран мира (США, Франция, Германия, Япония, Китай) владеют аналогичными технологиями, – подчёркивает гл. научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Асеев, возглавлявший институт с 1998-го по 2013 год.

Выращивание наноструктур требует особого оборудования и условий. В ИФП СО РАН для этого используется метод молекулярно-лучевой эпитаксии, который позволяет буквально «складывать атом к атому» и, как следствие, задавать нужные свойства полупроводника. Разработка таких установок тоже проходила по инициативе Анатолия Васильевича.

– Он стоял у истоков такого направления исследований, как физика низкоразмерных систем (наноструктур), в нашей стране. Мы начали заниматься ими одними из первых, развили хорошую технологическую и диагностическую базу. Ржанов вовремя и даже с упреждением угадал тренд развития и вкладывал ресурсы в исследование поверхностных и граничных состояний полупроводника, когда многие ещё не понимали, что это будет иметь такое существенное значение для электроники, – добавляет гл. научный сотрудник ИФП СО РАН академик Александр Чаплик.

Сила характера и внимательность к людям

– Анатолий Васильевич был очень человечный, надёжный, дотошный: часто к нам заходил, смотрел, как мы работаем, отмечал наши успехи, – вспоминает ведущий инженер-конструктор ИФП СО РАН Пётр Сарафанов.

– Он доброжелательно относился ко всем, в институте всегда была хорошая, спокойная обстановка, сотрудников ценили за работу, у нас много и продуктивно трудились все, – добавляет Александр Асеев.

В этом и заключается секрет успеха Института физики полупроводников СО РАН: в появлении новых направлений, в доброжелательной рабочей атмосфере, в развитии научной школы, созданной академиком Ржановым и его учениками, в высоком уровне и востребованности результатов работы института, названного именем его основателя.

По информации пресс-службы ИФП СО РАН