• ПоискГлавная
  • Подписаться на НовостиНовости
  • Подписаться на СтатьиСтатьи
  • Подать объявлениеГазета
  • Доска объявлений
  • Подать объявление на сайт
  • Академгородок
  • О нас
  • Афиша
  • Прайс
  • Юридическая информация
  • Политика конфиденциальности
  • Карта сайта
  • Написать в редакцию
  • Войти
  • Сегодня, 15:51

    Разработка учёного из ИФП СО РАН поможет в создании энергонезависимой памяти

    Разработка учёного из ИФП СО РАН поможет в создании энергонезависимой памяти

    Разработка учёного из ИФП СО РАН поможет в создании энергонезависимой памяти

    Ученые Института физики полупроводников усовершенствовали пленки хай-кей диэлектрика на основе диоксида гафния. Результаты этой работы могут пригодиться для создания энергонезависимой памяти и мобильной связи нового поколения.

    Аспирант Института физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН (ИФП СО РАН) Владимир Жилицкий представил сообщение на международной конференции «Атомно-слоевое осаждение: Россия-2026». Этот доклад, посвящённый исследованию сверхтонких плёнок хай-кей (high-k) диэлектриков на основе диоксида гафния внутри кремния, признан лучшим среди докладов молодых учёных.

    Обозначение «High-k» означает высокую диэлектрическую проницаемость. При приложении электрического поля такой диэлектрик сильнее поляризуется и почти не уменьшает электрический потенциал. Это позволяет увеличить толщину подзатворного диэлектрика, снизить утечки и открывать токовый канал в полевом транзисторе при более низких напряжениях. И, в итоге, создавать полупроводниковые устройства с более низким напряжением питания и электропотреблением.

    Кроме того, исследуемый вариант диэлектрика обладает сегнетоэлектрическими свойствами, то есть может сохранять поляризацию при выключении внешнего электрического поля. Этот эффект может применяться при создании ячеек памяти или транзисторов с регулируемым порогом открытия.

    Разработка имеет хороший прикладной потенциал, считает Владимир Жилицкий, если получится достичь эффективной диэлектрической проницаемости. Пластины с тонким слоем диоксида гафния, окруженным кремнием с обеих сторон, позволят создавать двухзатворные транзисторы с регулируемым порогом срабатывания. Это открывает возможность настраивать электронику на энергоэффективную работу при низких напряжениях или на работу на высоких частотах. Сегодня у флэш-памяти ресурс порядка 10 тысяч циклов записи, а у памяти на основе диоксида гафния он может быть значительно выше.

    Работа выполняется при поддержке грантов Российского научного фонда и правительства Новосибирской области.

    По информации пресс-службы ИФП СО РАН

    Фото Надежды Дмитриевой

    Комментарии

    Другие новости на тему

    Популярное